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　三天的閉門會談過後，雙方一直決定，開陽半導體接受來自蘇聯首批五十位技術人員的訪問學習。

　並且這五十人也是有要求，必須要從蘇聯各大半導體電子產業相關單位分別抽調，來自同一家單位的技術人員不能超過五人以上，這是最基本要求。

　閉門會談過後，雙方進入到第二輪高峰論壇，就軟件開發、半導體無線通訊等領域展開互相了解，增進雙方技術互信。

　孟懷英這時候終於能夠抽出時間，之前她都在CMOS無線射頻芯片的設計方面埋頭工作，經過為期三年時間的艱苦攻關，這才初步解決CMOS射頻芯片所存在的問題。

　用於中文傳呼機使用的射頻芯片設計已經全面凍結，正準備交付工藝部門進行產品批產工藝相關設計。

　CMOS射頻芯片和CMOS光學傳感器的影響力大致差不多，都是能夠對某一行業產生巨大變革的技術，孟懷英現在很自信，他可以站在中蘇半導體集成電路高峰論壇上，盡情地演講自己科研成果。

　......

　然而並不是所有人都看好CMOS射頻芯片，至少在來自蘇聯的代表團當中，便有一位莫斯科國立特種工程設計院的大佬，人家是專門研究無線通訊這方面，目前屬於全球頂尖梯隊。

　世界上最先發明無線電話的，實際並非美國人，早在1957年，蘇聯工程師列昂尼德.庫普裡揚諾維奇發明了ЛК-1移動電話。

　1958年，列昂尼德.庫普裡揚諾維奇對移動電話做了進一步改進，設備重量從3公斤減輕至500克(含電池重量)，外形精簡至兩個香煙盒大小，可向城市裡的任何地方進行撥打，可接通任意一個固定電話。到60年中期，庫普裡揚諾維奇的移動電話已能夠在200公裡范圍內有效工作。

　蘇聯大規模普及的移動通訊設備稱之為“阿爾泰”，在布魯塞爾世博會上獲得金獎，到1970年，“阿爾泰”系統已在30多個城市中為人們普及，比起美國人確實要強了太多。

　國內有龐大的無線通訊市場，蘇聯在移動電話領域走在世界最前沿，人家有資格提出疑問。

　“這位女士，既然你從事射頻芯片研發，並且也提到要將射頻芯片主要服務於無線通訊市場，那麽我有一個問題很疑惑，CMOS射頻芯片功率過低的問題，您要如何解決?”

　毛子說話很直接，直接提到當前最不好解決的問題上，而這同樣也是國際難題。

　如同當年白斯文教授開發CMOS光學傳感器過程中遇到暗電流噪聲問題一樣，後來教授通過一系列工藝設計來巧妙解決，並最終推出高性價比的CMOS光學傳感器，從此一舉奠定學術大牛地位。

　現如今，孟懷英開發CMOS射頻芯片，也遇到學術界公認的固有缺陷:功率過低。

　“基於CMOS工藝來研發射頻芯片，固有問題在於功率過小，它確實無法和同時期的砷化镓射頻芯片相比，目前橫亙在全世界科研界面前頭等難題便在於此，不過我們團隊成功開發出一次CMOS混合結構，從而能夠解決功率過小問題，使其可以初步滿足中低功率微波射頻所需。”

　所謂CMOS混合結構，實際就是SiGe BiCMOS工藝，中文全稱為:矽鍺雙極-互補金屬氧化物半導體，這東西在功率上面相對還算勉強能接受，並且還完美繼承CMOS工藝加工流程，成本也足夠低廉，是一種很不錯的半導體射頻工藝技術。

　SiGe BiCMOS工藝產品性能優點在於成本低，並且功率相對不錯，甚至在2000年之後的相控陣雷達大爆發時代，一些不法分子以次充好，為了降低成本，便采用SiGe BiCMOS工藝T/R組件來製造相控陣雷達。

　好吧，這只是開個玩笑而已，采用采用SiGe BiCMOS工藝製造的T/R組件功耗低、成本低、集成度高，被廣泛用於T/R組件小型化和成本控制方面，其中以X波段相控陣雷達最有使用價值。

　SiGe BiCMOS工藝的T/R組件不僅適用於X波段相控陣空天預警雷達，在Ka波段的T/R組件方面，因為集成度高、體積小，因此被運用於主動雷達導引頭。

　所謂主動雷達導引頭，區別就在於美帝的AIM-7麻雀家族和AIM-120阿姆拉姆之間，前者因為導引頭研發時代的工藝水平限制，無法容納雷達發射機及接收機，即便勉強上馬，這種導引頭最終也只能用於AIM-54上面。

　直到固態電子及集成電路出現，雷達組件可以有望實現小型化，才在空空導彈內實現雷達波的發射及接收一手包辦，而這便是主動雷達導引頭的作用。

　美帝有了小型化的主動雷達導引頭，所以搞出AIM-120這種神器，而共和國現在卻只能搗鼓AIM-7家族改進而來的半主動雷達導引頭:霹靂11。

　這兩種導彈之間有巨大地差距，要說這種代差，大概跟三代機與四代隱身機之間差不多，完全是吊打。

　所以嘛....

　有的時候，軍用和民用之間差距真的很小，孟懷英原本只是為了實現CMOS射頻芯片功率大，才弄出SiGe BiCMOS工藝，卻沒想到她搞出來的技術擁有非常廣闊地軍用前景。

　在孟懷英的SiGe BiCMOS工藝成功之際，由於當時射頻芯片在607所的微波暗室進行測試，結果出來之後，便被607所大神們敏銳地發現其軍用價值，這時候甚至都已經開始組件團隊基於該技術開發相控陣主動雷達導引頭。

　主動雷達導引頭髮展歷中，實際也並非一步到位的直接進入到相控陣雷達時代。

　九十年代的主動雷達導引頭並不是相控陣體制，那時候是傳統的“機掃-平板縫隙天線”雷達小型化而來，包括美國AIM-120、歐洲流星，以上這些皆如此。

　相控陣主動雷達導引頭，那都是在2000年之後才有所抬頭，此時的砷化镓T/R組件小型化逐漸成熟，又是小日本最先吃螃蟹，他們研製於2002年AAM-4B中距彈就采用相控陣主動導引頭。

　AAM-4B采用有源相控陣主動導引頭，能夠提高探測距離、抗干擾、在對一些雷達隱身目標的探測能力也還不錯，這實用化速度甚至比他美爹都來的更快。

　現在九十年代初期，607所要準備上馬相控陣雷達主動導引頭，汪正國也能表示:你們高興便好。

　上位面之所以是在2000年之後才開始有主動相控陣雷達頭，是因為早期“機掃-平板縫隙天線”主動導引頭髮展足夠成熟，畢竟那是美帝AIM-120證明過的道路，後來者也都爭相效仿。

　再有一點，砷化镓T/R組件的小型化一直到2000年之後才逐漸成熟，並且還要把成本控制下去，否則又如何能用於空空導彈這種一次性產品中。

　至於現在，隨著孟懷英提出SiGe BiCMOS工藝，一次性解決了生產成本和小型化兩個問題，唯一不足之處是功率方面還是比不上砷化镓T/R組件。

　但很多問題都要一分為二的看待，如果不和砷化镓T/R組件去比功率，轉而和同時期的AIM-120、流星這些采用“機掃-平板縫隙天線”導引頭相比，這兩者功率其實相差不大。

　國內目前才剛把半主動雷達導引頭的課補上，主動雷達導引頭技術完全還沒想過，更不用說從別處去找技術參考。

　607所在相控陣雷達上面有技術積累，現在正好找到比較合適的新型半導體工藝來生產適用於彈載導引頭的T/R組件，那為什麽不能直接走相控路線?

　隨著國內半導體加工精度不斷提高，采用SiGe BiCMOS工藝製造的T/R組件也會進一步增加功率，縱然無法跟采用砷化镓T/R組件的主動雷達導引頭相比，但只要能和同期一票“機掃-平板縫隙天線”持平便夠了，況且SiGe BiCMOS工藝製造的T/R組件成本也能夠得到有效控制。

　只要拿出的產品性能可以和同時期國際水平相當，價格不比它們貴，至於采用什麽技術路線，這有太大關系嗎?

　霹靂11導彈被魔都航天局這個航天口單位搶走，自此以後，航空系統內部就斷了中距彈項目，如果607所能率先搞出主動雷達導引頭，相信以航空口的魄力，還不得馬上全力支持，必須奪回中距空空彈市場，畢竟國內最強大的空空導彈研製力量依舊還是在航空口。

　至於魔都航天局，那不過是正好趁著霹靂11項目引進意大利技術而弄出來的項目， 頂多是半路出家，而能生產空空導彈和能研製空空導彈，這是完全是不同概念。

　按照607那邊所言，他們已經聯合014空空導彈研究院，雙方打算開始對下一代中距離空空導彈項目展開預研，準備弄一款能同美製AIM120對抗的大家夥出來，徹底將魔都航天口妄想把爪子伸進空空導彈領域的邪念斬斷。

　有關607所和空空導彈研究院的野望，這並不是汪正國所關心，孟懷英雖然隱約猜到607所得到SiGe BiCMOS工藝技術之後會將其用於軍工，但還是把工藝資料複製轉交一份，得到607所承諾1500萬人民幣技術引進資金。

　沒辦法，現在607所民品項目大火，為瑤光電子配套的電腦主板性能也不錯，價格公道，每年盈利上億，現在可是中航系統內數得著的土豪。

　有了第一筆收益，CMOS射頻芯片項目部可謂興高采烈，孟懷英除了拿出50萬獎勵研發團隊，所余資金則是再次被投入項目科研中。

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