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《電子帝國》第20章 過程
第二十章過程  當張億誠和迪爾博士在緊張的進行樣品的每一個實驗步驟的研究時,IBM公司的通用系統實驗室主任比爾.洛沃也在緊張的進行著自己的工作。

  會議結束後,比爾.洛沃找到了正準備離開的董事長兼執行官的弗蘭克.卡裡。他要立即為“象棋行動”物色小組成員。“卡裡先生,我想我接任這個工作有些事情我們需要談談,你有時間嗎?”

  弗蘭克看了看表,說道“我下面還有很重要的工作,如果你需要的時間不是很長的話,我想我可以。”然後弗蘭克又補充了一句“最多20分鍾。”

  “好吧,先生,你作為公司的董事長剛才在會上你也說過,對於公司的一些糟糕的令人想起來不是那麽愉快的作風感到不可容忍,所以我們象棋行動計劃我想我需要你在人事以及其他方面的一些特別的支持。”針對於目前的公司狀況,比爾.洛沃也感到有些無奈。雖然自己是通用系統部的主任,但是很多事情不是自己可以解決的了的。

  “說說看,我會盡量給予你我職權范圍之內的你需要的幫助。”弗蘭克對洛沃的觀點給予了肯定。

  “你知道的,這次行動你給我的時間實在太倉促了,但是你我都知道必須抓住這次難得的管理委員會同意的機會,所以我想我對於即將成立的行動小組成員必須進行精挑細選,這樣我才可以在下個月的這個時候拿出讓大家認可的樣品。”說道這裡洛沃看了看弗蘭克的表情,弗蘭克點了點頭,示意洛沃繼續往下說。

  “我想把以前開發DATAMASTER微型機的一部分成員加入進來,還有業務部的幾位。”接著又繼續向弗蘭克解釋到“我挑選的這些人都40來歲,年富力強,有開發微型機失敗的教訓和使用微型機的經驗,並且私下裡都有為IBM公司開發新一代產品的雄心壯志,他們一共包括18名工程師和5名優秀的市場行銷人員。”接著把一份名單遞給了弗蘭克,弗蘭克仔細的看了看,低著頭說道“為什麽還需要市場行銷人員?”洛沃很明顯對此準備充足“要開發一款成功的產品,我必須足夠了解消費者的心裡,我需要他們對市場的各種流行的微型機產品進行調查、分析然後反饋給我結論。”

  “好吧,你說服了我,這些人事的調動稍後我就會喊我的秘書親自安排,保證你挑選的小組成員明天就會向你報道,那麽你還有其他的事嗎?”弗蘭克以為這樣就結束了,所以禮貌的問了一句。

  “是的,先生我還有一點請求,你也知道的對於公司的一些糟糕的令人想起來不是那麽愉快的工作作風,所以我想為了擺脫這種官僚體質的製約和限制,我和我的小組成員需要一個安靜的沒人打擾和掣肘的地方去開始我們的開發。”說完洛沃用一種期盼的目光看著弗蘭克。

  “你的想法是對的,這一條我也答應你,你覺的公司的那個研究中心適合你的要求?”

  “佛羅裡達州的博卡拉頓工業區的IBM研究中心如何?”

  就這樣象棋行動小組的工作地點從亞特蘭大轉移到了佛羅裡達,項目悄悄的進行著。

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  完全的連接好後,博士啟動了電源,又在塗光刻膠機旁的電路控制板上把電機的轉速調到了2千轉每分鍾,

然後重複這一試驗過程每次往上增加50轉,博士把每次轉速不同產生的覆光刻膠晶圓都做了轉速標記。等完成塗光刻膠的步驟後又全都放進自動溫控烘箱進行直板90攝氏度的軟烘乾,直到博士確認光刻膠的溶劑全完蒸發掉,並把不同轉速產生的晶圓需要的烘乾時間和溫度做了細致的記錄。“這才是真正的做研究的態度啊”張億誠有些感慨,見多了前世中的時候國內專家教授所謂的研究其實就是根據國外的一些研究數據進行的一些臆想,把別人的數據進行一些刪減修改後就變成自己的研究成果發表出去,這就是學術造假。  “下面我們要進行曝光了,布魯斯你要仔細的看,這個時候的曝光就是將我們製作的掩模覆蓋在塗有光刻膠的晶圓上,你了解照相機的工作原理嗎?光刻掩模相當於照相的底片,一定波長的光線通過這個底片,使光刻膠獲得與掩模圖形同樣的感光圖形。當然這個時候的我們可以使用的光源可以是可見光、紫外線、X射線和電子束。而光量,時間則取決於我們的光刻膠的型號,形成的圖層的厚度和我們需要的成像深度;這裡我們取用紫外線。”博士耐心的像張億誠作著說明。

  “曝光我們分3種方法,接觸式曝光和接近式曝光和投影式曝光,早起我們在德州儀器的時候基本使用的都是接觸式曝光方法,他具有很高的分辨率,但是缺點也很明顯容易造成掩模版和光刻膠膜的損傷。”博士邊說還邊用他前面的機器做操作示范,由於室內全是黃色的燈,所以張億誠也看不清這台機器究竟什麽顏色,人頭低下去的地方是個類似向下的望遠鏡,這是為了方便內部的觀測,望遠鏡的下面是一個對機器可以進行升高降低左右調節的轉盤,在轉盤的左邊是機器臂,右邊是控制系統的面板,這是張億誠大致看到的。

  “這是我們目前在實驗室的曝光系統,雖然技術老舊了點,但是用於做試驗還是很物廉價美的。”博士笑了笑說的張億誠有點不好意思,還是資金緊張啊。然後博士接著說道“後面我們進行正式生產的設備將會是另外的非接觸的曝光系統。 眼前的這個接觸式曝光系統原理很簡單,就是用點光源產生的光經凹面鏡的反射的發散光束,在經過透鏡形成平行光束,然後照射到前方的與水平成45度角的反射鏡上,,經過折射正好投射到水平工作台上的掩模上;由於掩模和晶圓表面的光刻膠層是緊密接觸的,這樣掩模上的圖案正好曝光在了光刻膠層。這有一點很重要,掩模與光刻膠層的壓力大小,通常我們的壓力都是0.05~0.3ATM,而光源的波長也有很嚴格的要求,在0.4μM左右。”邊說教授邊把剛才完成塗光刻膠的晶圓一一的在機器裡曝光。

  在聚精會神操作的同時又說道“這種方法在實驗室裡還可以用用,生產中基本已經淘汰了,要想實現掩模和晶圓之間理想接觸的製約因素太多,掩模本身不平坦、晶圓表面有輕微凹凸、掩模和晶圓之間有灰塵、掩模和晶圓每次接觸產生的磨損使掩模可使用次數收到的限制,這些都會造成大規模工業生產的不確定的質量問題。至於非接觸式的曝光在後面我們進行工業試生產的時候我在介紹給你。”博士把張億誠說的是半懂不懂,張億誠幾乎感到自己聽的是雲裡霧裡的。

  “經過對準的曝光後,那麽芯片的輪廓基本就會成型了,但是這個時候我們還需要對曝光之後的晶圓進行顯影、定影、堅膜等步驟的必要操作,使光刻膠膜上我們需要的區域保留下來,而不需要的區域將被溶解掉,這樣就形成我們需要的版圖圖形。”迪爾博士一遍說一邊做著這些工作。
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