紀雪彤這幾天回到了LED實驗團隊。她的TOFEL考試已經考完了，成績還沒有出，但是她自己覺得夠用了。而且想繼續提高，難度很大。

目前最重要的還是再補充一下論文數量，這個看起來，難度還小一點。

紀雪彤原來是電子系的學生，在駱師姐的幫助下加入了童子軍。她的運氣不錯，加入後不久就把名字署在了兩篇論文上。

隨後，她更是憑借這兩篇署名第三作者的論文，成功轉換專業，與成永興變成了同班同學。

但是同班同學並沒有增加她與這位鑽石王老五的接觸機會，除了少數的幾次班級活動以外，那位很少在學生們中間出現了。

紀雪彤是個豪爽的女孩子，換句話說，大大咧咧的，做事情不是很有耐心和細心。

這使得她在實驗的成果方面比較吃虧。到現在為止，她一直是在蹭第二作者和第三作者，第一作者一個都沒有撈到。這在童子軍裡是罕見的。

小組裡，現在連大三的學生，也開始發表論文並署名第一作者了。

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紀雪彤回到LED實驗室後，發現實驗室裡忙活的人，大多是學弟和學妹了。

新的實驗室已經移到LED公司生產線的一側，房間多了很多。每個房間做自己獨立的課題，保密性大大加強了。

紀雪彤轉了一圈，才在一個小會議室找到正在討論的葉靜和馮言。

成永興早就不怎麽管LED的研發了，所以葉靜就承擔了主要的任務分配工作，尤其是LED實驗室這邊。

這段時間，她也是兩頭跑，剛從春城回到公司不久，就遇到了兩個熟人。

第一個就是剛剛從國外趕回來的馮言。

成永興已經先打過招呼。馮言將來會接管LED公司的科研部門。

與馮言相比，葉靜在這邊只是臨時幫忙，過段時間，她就會徹底回到春城去了。這次見面，也算是做個交接。

葉靜對這些前檢測專業的同學們異常客氣，按照成永興的脾氣，如果不是這群人都跑光了，也不會輪到自己這樣的第二梯隊。

所以她們兩個一直在一起商量科研小組接下來的任務。

多彩科技需要面對LED零售市場，一些以前不太注意的事項，也被關注起來。

例如，成本。

成本有兩方面，一個是原材料成本，一個是成品率。這些在壟斷時期，不是特別被在意的參數和指標，都被重視了起來。

另外，隨著LED光源市場的逐步打開，白光LED在公司產品的佔比，也會越來越大。相應的，公司的科研重心也會逐步轉變。

隨著葉靜這批人的畢業，童子軍也會逐步分化。

一部分的童子軍成員，就會面臨畢業。這些成員，部分人員會轉變成多彩公司的全職研究人員。

剩余的在校童子軍成員，則進行分流。一部分雖然仍然上學，但也被當做全職人員看待，開始領工資。

另一部分，則蛻化為業余課題小組，慢慢就會被邊緣化了。

依賴在校學生進行研發的階段，已經過去。童子軍，作為一個組織，就此不複存在。

紀雪彤的要求，跟兩位女強人一說，也就解決了。

她的目的是第一作者的論文，而並不真正是做實驗做項目。《多彩科技》手裡的資源很多。大量沒有發表的論文，隨便找一個接近解密的，讓她署一下名字就好。

光電系已經在LED及LCD行業，樹立了絕對權威。只要是光電投出去的論文，在各種國際期刊上，都是通行無阻。

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馮言這次是被迫回來的。

她在學校裡舒舒服服過了小半年，悠哉悠哉，爽得很。這段時間裡，她的社交圈擴大了很多，到哪裡都是焦點人物，很受歡迎。

她的價值在這段時間不但沒有降低，而且還高開高走，與很多公司都建立了聯系。如果她想做項目，大把的資金和項目就會蜂擁而來。這跟郝雲麗到處求項目和資金，截然相反。

由於日子過得很舒服，她都想就這麽混下去了。但是隨著郝雲麗的一篇大論文，她的好日子突然結束了。

郝雲麗在SCIENCE上發表一篇震動世界的論文，至少是震動了愛德華實驗室。

郝雲麗以前有過一次發表在CNS頂級期刊的機會，但是王教授為了搶時間，放棄了。

這次她終於如願以償。

而且這篇論文不是普通的頂級論文，據愛德華教授評價，這是一篇有諾貝爾獎潛力的論文！

這使得很多前段時間，反覆與郝雲麗討價還價的實驗室和機構後悔不已。

愛德華實驗室也是有機會留下郝雲麗的，愛德華教授現在雖然什麽也不說，但是看馮言的眼光都變了。不僅僅是他，所有人都把希望寄托在了馮言身上。

同樣的出身，類似的科研履歷，馮言甚至還有產業界的支持。大家開始對她的幾個月毫無作為不滿了。

郝雲麗在匹茲堡大學和愛德華實驗室裡已經成了傳說。她過去的一些戰績，例如她發表的總論文數，也被大家津津樂道。

相應的，對馮言的期望值，也提高了不只是一個檔次。

馮言抵不住這種壓力，乾脆就返回了冰城。

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與葉靜討論之後，她就去找成永興。但是兩個人一見面，她就被安排了新的任務。

IGBT。 Gate Transistor，絕緣柵雙極型晶體管，應用范圍非常廣泛，它包括了變頻，變壓，開關電源等。在後世，它的應用場景包括了軌道交通，電動汽車等。

在1992年，IGBT也不是什麽新概念。

1979年的時候，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅就已經出現了。

這個技術一面世，就吸引了世界各半導體廠家的注意。多家公司幾乎同時並獨立地發明了這種器件，剛開始各公司對其稱謂也不同。

隨著時間的流逝，IGBT的技術也日漸成熟，一些新的製造工藝(DMOS)被采用，各種不同的結構，被各廠家進行試探，並有所成就。

時間走入90年代的時候，隨著大規模集成電路工藝的逐步成熟，有一些半導體生產中采用的工藝，很快就會被IGBT研究人員引入。

矽芯片的垂直結構(3D)，給IGBT的設計，帶來了巨大的改變。

在90年代中期，IGBT的結構，先後出現了多次技術突破。

其中比較有名的有，NPTIGBT(穿透式)，LPTIGBT(弱穿透)，這一波裡，最重要的技術是CSTBT。至此第五代IGBGT才算正式成熟。

這個技術方向，成永興盯了很久了，因為它的經濟價值非常大，甚至不弱於LED，但一直苦於沒有人手。

隨著時間的流逝，這些技術面世的窗口，也在慢慢關閉。

所以，馮言一回來，就被他立刻抓了差。