..穿梭在歷史大事件中的將軍

　dram(dynamic random memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。也是在計算機、手機等設備中最常見的基礎芯片。

　三星第一塊64k dram投放市場時是1984年，比日本人足足晚了40個月。

　第一塊256k dram投放市場時是1986年，比日本人晚了24個月。

　第一塊1m dram投放市場時是1986年，比日本人隻晚了12個月。

　1989年三星第一塊4m dram與日本人幾乎是同時投放市場的。

　1992年，三星開始領先日本，推出全球第一個64m dram產品。

　而同時期的日本半導體工業，從1985年開始日本經濟進入泡沫化，全民炒房。

　1985年日本人砍掉了40%的設備更新投資和科技紅利投入。

　1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元降低到只有26億日元，下降幅度達80%，這就給韓國人反超的機會。

　這就是大家所熟悉的，韓國人在半導體領域的所謂的第一次“反周期投資”。

　從1992-1999年，韓國人通過持續科技紅利之有效研發投入進一步夯實64m dram勝利果實的基礎上，通過壓強原則，擴大對日本人的競爭優勢，完成了從追趕到超越的大逆襲過程。

　1990年，16m dram，韓國人推出的時間滯後於日本人3個月。

　1992年，64m dram，韓國人略微領先於日本人。

　到1998年，韓國人全球第一個開發256m dram、128m sdram、128m fsh。

　到1999年，韓國人全球第一個開發1g dram。

　在著名的《科技紅利大時代》一書中，首次提出科技紅利、有效研發投入和壓強系數等科技紅利的研究思想。

　從科技紅利思想的角度，龐煖們看看韓國人又是如何通過提高壓強系數，實現對日本人的逆襲。

　1992年韓國人64m dram略微領先於日本人和米國人成功研製後，韓國人並沒有停下科技紅利之有效研發投入。

　1993年反而通過壓強原則，重點攻擊，科技紅利之有效研發投入同比增長70.19%，鞏固對日本人的領先優勢。

　1995年韓國人再次快速提升壓強系數，科技紅利之有效研發投入再次大幅度提升，同比增速高達96.82%。

　1996-1997年連續兩年保持高位壓強系數狀態。

　這才有了1998年128m sdram、128m fsh、256m dram、1g dram的全球第一個推出市場，從而完美的實現大逆襲。

　第三，產業鏈垂直一體化，加強上遊設備和電子化學品原材料的國產化。

　上世紀90年代，韓國政府主導推出總預算2000億韓元(2.5億美元)的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品原料供應鏈。

　韓國工貿部在漢城南部80公裡的松炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。

　為了獲取先進技術，韓國人以優厚條件招攬米國化工巨頭杜邦、矽片原料巨頭memc、日本dns(大日本網屏)等廠商，在韓國設立合資公司。

　由此，韓國人半導體產業鏈上遊關鍵設備和電子化學品原材料初具規模。

　第四，產業鏈橫向擴張，從存儲器芯片到cpu芯片、dsp芯片等。

　以三星為例，通過與米國、歐洲企業建立聯盟合作關系，三星在dram之外，獲得了大量芯片產業資源。

　從米國sun公司引進java處理器技術。

　從法國stm(意法半導體)引進dsp芯片技術。

　從英國arm引進音視頻處理芯片技術。

　與日本東芝、nec、衝電氣(oki)展開新型閃存fsh方面的技術合作等。

　客觀而言，產業鏈橫向擴張對於天朝是很難複製的，因為西方列強根本不會對天朝輸出半導體集成電路芯片的核心技術。

　即使天朝諸多企業溢價用巨額資金購買也是諸多困難。

　但堅持產業鏈的橫向擴張，這是成為半導體強國的必經之路。

　1992年三星全球第一個成功研製64m dram。64m dram，矽片直徑為200-2mm，芯片面積為135mm2，集成度為140000000。

　采用的主要技術為超淨技術和3.3v低電壓化技術。

　在集成度方面，韓國人是日本人的360%。

　依靠64m dram，三星超越日本nec，首次成為全球第一大dram內存製造商。

　此後，韓國開始製霸之路，連續25年蟬聯世界第一。

　韓國成為全球半導體內存市場第四個霸主。

　1996年，韓國三星的dram芯片出口額達到62億美金，居世界第一。

　日本nec居第二。

　韓國現代以21.26億美金居第三位。

　韓國lg以15.4億美金居第九位。

　不到十年時間，韓國人一舉打垮日本人，牢牢佔據了全球半導體內存市場。

　至此，韓國人全面崛起於日韓半導體戰爭，成為全球半導體工業大國。

　再次回顧韓國人崛起的歷史過程。

　1968-1980年，在米國人幫助下，韓國人完成追趕，初步建立了半導體工業體系。

　半導體工業產值從不足2000萬美元，增加到15億美金以上。

　半導體出口產值從300萬美金，增加到11億美金以上。

　1980-1985年，韓國人在米國人扶持下，僅僅用5年時間快速完成並掌握16k、64k 、256k dram的關鍵技術的研製，一舉超越日本人過去三十年的所有努力。

　5年時間，韓國半導體工業產值達41.87億美金，期間增長176%。

　韓國半導體出口產值達25.33億美金，期間增長113%。

　1986-1997年，第二次dram世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。

　米國人“扶韓抗日”，在米國人全力扶持下，特別是1985、1991年《美日半導體協議》的簽署，到1994年韓國人在64m、256m dram完成對日本人的從追趕到領先。

　這一時期，韓國半導體工業產值超過225億美金，期間增長437%。

　韓國半導體出口產值131億美金，期間增長418%。

　韓國人完成從半導體發展天朝家到全球半導體大國的轉變。

　1998-2010年的第三次dram世界大戰-韓台半導體戰爭，韓國人完成了自身dram核心技術的“米國基因”轉型為“獨立自主基因”，最終實現了從半導體大國蛻變為半導體強國。

　在這一時期，韓國人主要的成功經驗有:

　第一，挺進天朝大陸市場，構築廣闊的戰略縱深。

　如同日韓半導體戰爭中，米國人放開米國國內市場給韓國人一般。挺進天朝大陸市場，韓國人具有了廣闊的戰略縱深。

　龐煖們以海力士為例:

　陷入1997年東南亞金融危機的韓國海力士(hynix)，以3.8億美金的價格，將tft-lcd部門整體售給京東方，海力士就此專注於dram領域，並獲得寶貴的資金和天朝市場。

　2004年，海力士和意法半導體在無錫設立12寸晶圓廠，項目總投資20億美金。

　其中，海力士和意法半導體出資10億美金，主要是2億美金的二手設備折價、5.5億美金現金和2.5億美金股東貸款。另外10億美金由無錫市政府承擔。

　另外，在20億美金總投資之外，無錫市政府還承擔廠房建設，無錫市政府一共出資3億美元建設兩座佔地54萬平方米，面積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。

　2006年海力士90納米技術生產的8英寸晶圓順利下線，合格率超過95%。

　工商銀行江蘇分行牽頭，11家中資銀行、9家外資銀行組成貸款團對無錫海力士項目放貸5年期的7.5億美金貸款。

　海力士拿著韓國利川工廠淘汰的8英寸晶圓設備，依靠天朝資金、土地、工人和天朝市場，用區區3億美金撬動了一項20億美金的投資。

　面對東南亞危機，依托天朝市場戰略縱深，韓國人僅用2年時間就恢復了元氣。

　特別是海力士，2000年，dram整體月產量由第三季度的60萬顆，第四季度就快速擴增到8000萬顆，增長了23.07%。

　同時128m以上產品的生產比重由20%提高到36%。

　128m dram:3個月內，月產量由6萬顆提高到1400萬顆，增長了115%。

　256m dram:4個月內，月產量由40萬顆提高到140萬顆，增長了2%，生產比重由2.4%提高到6%。

　2008年全球金融危機爆發後，一年時間內，全球dram產業累計虧損超過125億美金，苔彎省dram產業更是全線崩盤。

　南亞科，從2007年起連續虧損六年，累計虧損1608.6億元新台幣(49億美金)。

　華亞科技從2008年起連續虧損五年，累計虧損804.48億元新台幣(24.4億美金)。

　這兩家由台塑集團投資的dram廠，一共虧損2413.08億元(73億美金)。

　其他苔彎dram企業虧損分別為，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。

　苔彎五家dram廠幾乎每天虧損1億元，合計虧損1592億元新台幣(48億美金)。

　反觀韓國人，依托天朝大陸市場的戰略縱深，憑借無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時間就恢復元氣。

　2009年第一季度，海力士淨虧損為1.19萬億韓元(9.33億美金)。

　2009年第二季度，淨虧損僅為580億韓元(0.45億美金)。

　2009年第三季度，海力士扭虧為盈。

　2010年第一季度，海力士淨利潤暴漲到7.38億美金。

　2010年全年，海力士全球銷售額達到12萬億韓元(107億美金)，淨利潤高達26.7億美金。

　金融危機中，依托天朝大陸市場，韓國人化“危”為“機”。

　隨後，海力士又向天朝商務部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠(80納米工藝)並迅速通過審批。

　這就是韓國人所謂的“反周期投資”。

　再比如，三星，依托天朝大陸市場縱深，在“韓日nand fsh戰鬥”中，徹底打垮老對手日本東芝。

　2011年韓國三星與日本東芝在nand fsh領域展開全球競爭。

　當時三星在韓國華城(fab12、fab16)、器興(fab14)和米國德州奧斯汀，共有4座nand fsh 12英寸晶圓廠，年產能4萬片晶圓。

　為了拉開與東芝的差距，三星決定新建nand fsh工廠。

　經過談判，三星最終選擇落戶天朝西安，項目總投資300億美金，分三期建設。

　西安市為此項目提供了巨額補貼，包括:

　1、三星需要的130萬平方米廠房，由西安市建設並免費提供10畝土地。

　2、2、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。

　3、3、西安市財政對投資額進行30%的補貼。

　4、4、西安市對所得稅征收，前十年全免，後十年半額征收。同時西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施，總的補貼金額保守估計在300億元以上。

　龐煖們需要注意的是，2011年三星半導體全球銷售金額也不過才285.63億美金，300億美金總投資的西安項目對於“韓日nand fsh戰鬥”的意義之重大性，不言而喻。

　當三星的西安項目落成之後，2016年東芝就過不下去了，2017年東芝不得不出售存儲部門。

　韓國人幾乎是不費吹灰之力就贏取了這場“韓日nand fsh戰鬥”，這就是韓國人的“反周期投資”。

　今日，還有多少人記得，nand falsh是日本人發明的呢?

　早在1980年，日本東芝的藤尾增岡招聘4名工程師啟動一個秘密的項目以研發下一代存儲芯片，實現存儲大量數據，並且讓用戶可以買得起。藤尾增岡聲稱:“龐煖們知道只要晶體管在尺寸上降下來，那麽芯片的成本也將會下降。”很快推出了一款eeprom的改良產品，記憶單元由1個晶體管組成。在當時，常規的eeprom每個記憶單元需要2個晶體管，這個小小的不同對價格帶來了巨大的影響，日本人將這個芯片稱為fsh，這個名字也是因為芯片的超快擦除能力，fsh芯片基於nand技術，這一技術可以提供更高容量的存儲， 並且更容易製造。1989年，東芝首款nand fsh上市。

　對天朝大陸市場戰略縱深，日本人又是如何態度?

　嗯，從小泉純一郎到現在的安倍，他們天天忙著來種花家鬧事，比如釣魚島。

　釣魚島主權自古以來就屬於天朝人的！乾你大爺的小日本！

　天朝大陸市場這一廣闊的戰略縱深，在2008年全球金融危機，使得韓國人僅僅一年時間就恢復元氣進而徹底打垮苔彎人，在全球半導體存儲器的壟斷地位一直延續至今。

　全球半導體產業的競爭，已經不僅是科技的競爭，更是涵蓋政治、經濟等綜合實力的國運之戰。

　具有一個廣闊的戰略市場縱深，意義是非凡的。

　這就是龐煖做為一個天朝人做半導體產業的最大優勢，天然的祖國優勢，背靠著一個巨大無比的戰略市場縱深。
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