在李強跟王衣雲商量什麽時候能到美國的時候，車緩緩開進了星空公司的大門。

　　張亞勤和阿加等人在門口等著迎接李強去，經過簡單的寒暄之後，眾人一起進入了會議室。

　　李強問道:“跟倪老約的是幾點會面”。

　　張亞勤道:“還有半個小時他們就會到”。

　　李強點點頭問問大家的意見道:“大家對收購方舟芯片怎麽看”?

　　張亞勤和阿加都各自陳述了一遍自己的觀點。總結起來就是可以搞，將來芯片及半導體行業絕對會成為高科技企業必爭之地。現在下手好處會更大，唯一的缺點就是不確定到底需要多少資金和時間才能完成。

　　但是可以肯定的是絕對不會是小數目，這也是眾人比較擔心的地方，畢竟所需的資金過於龐大，龐大到可能只有國家才有能力完成這個重任吧。

　　李強也知道大概會消耗數十億到上百億的資金，這屬實讓人難以接受。正當李強思考的時候，張亞勤的秘書報告說倪光南到了，於是一群人來到了大會議室跟倪光南見面會談。

　　李強自然以晚輩禮會見倪老這位為中國芯片和半導體做出突出貢獻的人，雖然結局不太美好，但確實實實在在為中國的芯片及半導體行業做出貢獻的人。

　　1984年初組織課題組研發出了漢字處理的第二項產品，即聯想式漢字圖形微型機系統”。隨後應邀出任“中國科學院計算技術研究所新技術發展公司”總工程師。倪光南擔任公司董事兼總工，主持開發了聯想系列微機。後被遴選為中國工程院首批院士。2002年至2011年擔任第五、六屆中國中文信息學會理事長;2011年獲得中國中文信息學會終身成就獎及計算機獎。

　　這樣的成就及為中華軟件及硬件的貢獻當得起李強的禮遇。

　　倪光南老人家也沒想到李強竟然年輕如斯，而且還特別有禮貌，只不過還是有點顧慮，如此大的項目，自己眼前這個小娃娃能夠做得了主嗎?別到時候白費了一番力氣還耽誤時間。

　　可是過了會看見張亞勤和阿加這些公司高管對李強的態度非常恭敬，這可不像一般的公司實際高管對家族富二代的態度。

　　因為下面的事情涉及到保密，所以無關人員被請了出去，但是武豐沒動，導致江詩豔和王衣雲也沒動。

　　這也是李強授意武豐這麽做的，畢竟王衣雲馬上要到美國去保護薑雪去了，應該知道一點自己這邊的底細和秘密。這樣可以更好的防止王衣雲被更強大的勢力所脅迫而畏首畏尾，咱們也是有實力的。

　　李強在秉退其他人之後，開始真誠的對倪光南道:“倪老，這次您來的原因和目前亞勤他們已經跟我匯報過了。其實我是星空這家公司的倡議者和實際組織者，也是這家公司的唯一股東。

　　這次請您來就是希望運用您專業的技術及眼光為中國的軟件和硬件設施說出您的方案，我們共同探討一下實施的可能性”。

　　倪光南開始很驚呃與李強竟然是公司的實際掌門人，但是見張亞勤和阿加都一副本來如此的表情。再說李強也沒必要騙自己，畢竟星空公司是實實在在的擺在這的，公司實力最少二十億規模可想而知。

　　倪光南老人家見李強如此誠心將公司機密都直接告訴自己，而且言語中表現出來對中國的軟件及硬件的發展意願。

　　這些都深深的觸動著老人的心，於是倪光南也真誠為李強解說道:“半導體領域是一個非常複雜的產業鏈，

可以說沒有半導體產業的發展，也就沒有互聯網時代，互聯網時代其實也可以叫矽晶片時代，我們電腦、手機、電視等等，它們所用到的芯片、集成電路等都是用矽製造出來的。　　半導體工藝流程主要包括單晶矽片製造、IC設計、IC製造和IC封測等環節。在每個工藝環節中，都需要大量的軟件和硬件設備。

　　單晶矽片製造需要單晶爐等設備，IC製造需要光刻機、刻蝕機、薄膜設備、擴散\離子注入設備、濕法設備、過程檢測等六大類設備。在半導體設備中，像台積電等晶圓代工廠設備采購額約佔80%，檢測設備約佔8%，封裝設備約佔7%，矽片廠設備等其他約佔5%。

　　IC 製造設備市場中光刻機、蝕刻機、薄膜設備是最為核心的設備，光刻技術是一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間圖像記錄媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片主要是矽片或介質層上的一種工藝。

　　光刻機設備目前被荷蘭的ASML所壟斷，這是台積電、英特爾、高通等一大批半導體廠商提供資金、技術打造的壟斷巨頭。

　　而采用物理或化學方法是物質即原材料附著於襯底材料表面的過程即為薄膜生長。薄膜生長廣泛用於集成電路、先進封裝、發光二極管、功率器件、平板顯示等領域。根據工作原理的不同，集成電路薄膜沉積可分為物理氣相沉積化學氣相沉積和外延三大類。

　　刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從矽片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位於光刻工藝之後，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉移的工藝步驟。刻蝕環節是複製掩膜圖案的關鍵步驟.

　　在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:乾法刻蝕和濕法腐蝕。

　　乾法刻蝕是把矽片表面曝露於氣態中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，與矽片發生物理或化學反應，從而去掉曝露的表面材料，所以乾法刻蝕也稱等離子刻蝕。乾法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最重要方法。

　　利用乾法刻蝕的也叫等離子體刻蝕機，等離子體刻蝕機是芯片製造中的一種關鍵設備，用來在芯片上進行微觀雕刻，每個線條和深孔的加工精度都是頭髮絲直徑的幾千分之一到上萬分之一，精度控制要求非常高。

　　比如，16nm工藝的微觀邏輯器件有60多層微觀結構，要經過1000多個工藝步驟，攻克上萬個技術細節才能加工出來。

　　在集成電路製造過程中需要多種類型的乾法刻蝕工藝，應用涉及矽片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質、矽和金屬等，通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。

　　介質刻蝕是用於介質材料的刻蝕，主要包括氧化物刻蝕和氮化矽的刻蝕，是最複雜的刻蝕過程。接觸孔和通孔結構的製作需要刻蝕介質，從而在其中刻蝕出窗口，而具有高深寬比，即窗口的深與寬的比值的窗口刻蝕具有一定的挑戰性。

　　矽的等離子體乾法刻蝕是矽片製造中的一項關鍵工藝技術，主要作用為製作柵結構、器件隔離和電容結構中的單晶矽槽。多晶矽柵的結構對刻蝕要求很高，必須對下層柵氧化層有高的選擇比並具有非常好的均勻性和可重複性。多晶柵刻蝕通常采用氟基氣體。

　　單晶矽刻蝕主要用於製作溝槽，要求每個溝槽都要保持一致的光潔度、接近的垂直側壁、正確的深度和圓滑的溝槽頂角和底角。 對淺槽的刻蝕使用氟氣，對光刻膠有高選擇比。對深槽刻蝕常采用氯基或溴基氣體，刻蝕速率高並對氧化矽有高的選擇比。

　　金屬刻蝕主要應用於金屬互連線、通孔、接觸金屬等環節。金屬互連線通常采用鋁合金，對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結構中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。

　　而在濕法腐蝕中，液體化學試劑，如酸、鹼和溶劑等以化學方式去除矽片表面的材料。需要說明的是，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下是大於3微米的”。

　　倪光南盡量用簡短而清晰的話語讓李強明白其中的難度和原理，但是可惜對面的李強還是一臉的懵。

　　沒辦法誰讓李強是金主呢！倪光南隻好試著用更簡單的方法來，好直接跟李強繼續探討硬件和軟件方面的投入和研發成本及難度。

　　“這些工序說起來比較複雜，實際上呢也不太好實施，主要需要花費大量的資金去不斷試錯。

　　還得需要海量高端研發人員不斷的去開發，時間上也是不太確定，所以極高的技術壁壘加上大量的人員、資金、時間的磨合，這才導致了計算機硬件設備的發展在我國是極其緩慢的。

　　即使是有國家隊的影響力在，但因為風險的問題，所以也沒有什麽特別明顯的進步，現在只能依靠民間大眾的資本力量來做這件事情了”。

　　李強點點頭表示理解倪老的想法，同時李強也想到了後世大名鼎鼎的中微國際。